高通日前宣布新一代旗艦處理器命名為驍龍835，但對于具體規格所言甚少，只是說會采用三星10nm FinFET工藝制造，目前已投產，終端產品將在2017年上半年問世。

根據微博用戶@草包科技給出的最新情報，驍龍835的編號為MSM8998(驍龍820/821 MSM8996/MSM8996 Pro)，將會采用升級版64位自主架構Kyro 200，并且是四大、四小的八核設計，但具體頻率不詳。

集成GPU核心升級為Adreno 540，基帶則是LTE X16，最高支持LTE Cat.16，理論下載速度高達1Gbps，上傳也有150Mbps。

另外，驍龍835還會支持四通道LPDDR4X-1866內存(聯發科Helio P20首發)、UFS 2.1存儲(麒麟960首發/驍龍660也會用)。

驍龍835將在2017年第一季度量產，首發的是三星新旗艦Galaxy S8，明年二月底的MWC 2017大會前發布，而國產機型將在明年年中跟進。