英特爾

鳳凰科技訊 北京時間7月29日消息，據(jù)《華爾街日報》網(wǎng)絡(luò)版報道，英特爾和美光科技在周二宣布，他們已開發(fā)出了一種新型存儲芯片，能夠大幅提升計算機(jī)、智能機(jī)以及其它類型高科技產(chǎn)品的性能。

英特爾和美光稱，他們計劃在明年開始銷售這種芯片。該芯片的處理速度最高可達(dá)到當(dāng)前多數(shù)移動設(shè)備所用NAND閃存芯片的1000倍，可存儲的數(shù)據(jù)容量是主流DRAM內(nèi)存芯片的10倍。

這項技術(shù)名為3D Xpoint，雖然處理速度上還無法十分接近DRAM芯片，但是像NAND閃存芯片一樣，即便在斷電后它仍可以保存數(shù)據(jù)。英特爾和美光并未披露太多關(guān)于3D Xpoint的技術(shù)細(xì)節(jié)，包括他們使用的關(guān)鍵材料，但表示使用了一種獨特方式來存儲數(shù)據(jù)。

英特爾和美光高管預(yù)計，新芯片的速度將催生新型應(yīng)用，令業(yè)界受益匪淺，特別是那些功能模式建立在大量數(shù)據(jù)基礎(chǔ)之上的應(yīng)用，比如語音識別、金融詐騙偵測以及基因組學(xué)。

“這確實是一項革命性技術(shù)，”美光CEO馬克·德肯(Mark Durcan)周二在技術(shù)發(fā)布活動上表示。英特爾高級副總裁鮑勃·克魯克(Rob Crooke)稱：“這是一項很多人認(rèn)為不可能實現(xiàn)的技術(shù)。”

但是這項新技術(shù)的重要性和獨創(chuàng)性可能保守爭議。近幾年來，很多其他公司都已經(jīng)宣布在存儲芯片開發(fā)上取得了重要進(jìn)展。創(chuàng)業(yè)公司Crossbar戰(zhàn)略營銷和商業(yè)開發(fā)副總裁薩爾文·杜波斯(Sylvain Dubois)表示，英特爾和美光似乎仿效了其電阻式RAM技術(shù)的元素。“這聽起來非常像我們已擁有的技術(shù)，”杜波斯稱。

Everspin Technologies等其他公司也相信，他們在為穩(wěn)定數(shù)據(jù)存儲芯片提供DRAM級速度上已搶占先機(jī)。

英特爾和美光計劃初期生產(chǎn)能夠存儲128Gb數(shù)據(jù)的雙層芯片(two-layer chip)，這一存儲容量和現(xiàn)有的部分NAND芯片相當(dāng)。隨著在芯片中堆疊更多電路，英特爾和美光計劃在日后提升芯片的存儲容量。

參加該技術(shù)發(fā)布活動的分析師周二表示，硬件設(shè)計商需要時間來決定如何或是否使用這項技術(shù)。英特爾和美光稱，現(xiàn)有技術(shù)為產(chǎn)品提供的速度提升遠(yuǎn)小于新型芯片。(編譯/簫雨)